技术编号:3281727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学气相沉积(CVD),特别是涉及一种衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室。背景技术MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种化学气相外延沉积工艺。它以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的源材料,以热分解反应方式在衬底上进行沉积工艺,生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层...
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