技术编号:3281918
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备,特别是一种喷淋头以及气相沉积设备。背景技术化学气相沉积例如有机金属化学气相沉积(MOCVD)工艺的基本生长过程是,将反应气体从气源引入反应腔室,利用以加热器加热的衬底引发化学反应,从而在基片上生成单晶薄膜。在进行MOCVD工艺过程中,薄膜生长所需要的反应物依靠气体运输(例如流动和扩散)到达生长表面,在运输过程的同时还发生着化学反应,最终生长粒子通过吸附和表面反应,结合进薄膜晶格。在现有工艺中,通常是由喷淋头(showerhead)来提...
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