技术编号:3282347
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种化学气相沉积设备。背景技术通常,为了在半导体晶圆上形成薄膜,需要在化学气相沉积设备中通入反应气体,在射频电源的作用下使反应气体分解成等离子体,并在半导体晶圆上聚合并形成薄膜。由于等离子体带有一定的电荷,当等离子体在半导体晶圆上聚合形成薄膜的同时,电荷则会残留在半导体晶圆上。半导体晶圆上电荷聚积过多则会对半导体晶圆内部器件造成一定的损伤,例如等离子引入损伤(PID)。因此,化学气相沉积设备都会形成完整的电路循环并排除...
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