技术编号：3283634
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成含掺杂磷的二氧化硅的层的方法，并且涉及在制造集成电路中形成沟槽隔离的方法。背景技术 在集成电路的制造中一种常用的材料是二氧化硅。可以将其以基本上100％纯的形式利用，或与包括性质调节掺杂剂的其它材料组合使用。因此，可以将二氧化硅在形成一层或多层中作为与其它材料的混合物利用，并且它可以占或者可以不占给定层的大多数。示例性材料是硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、磷硅酸盐玻璃(PSG)和硼硅酸盐玻璃(BSG)。典型地，这种材料的硼和/或磷原子各自的浓度为...
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