技术编号:3284275
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及化学机械平坦化工艺,更具体地,本发明涉及用于铜的化学机械平坦化的氧化钼浆料和方法。背景技术 化学机械平坦化(CMP)是用来指一种用在制造半导体中的工艺的术语。如其名所暗示,CMP工艺一般用在用来抛光(例如平坦化)半导体晶片表面的半导体处理中。CMP工艺相对较新,这是因为直到目前,传统的工艺仍然能满足所涉及的相对较低的电路密度。然而,电路密度的增加(例如,晶片特征尺寸从0.25微米转换到0.18微米)已经迫切需要开发新的用于平坦化晶片的工艺,...
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