技术编号:3284837
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程,可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺,大大简化了超硬材料的抛光流程,降低了成本,保证了加工质量的一致性和稳定性,提高了成品率。专利说明 [0001]本发明涉及属于半导体材料加工及器件制备领域,具体涉及一种,尤其是一种能够获得具有原子台阶表面的超硬半导体材料(例如Sic、A1203)抛光方法。背景技术[0002]氧化铝(A1203)、碳...
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