技术编号：3284959
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体设备中刻蚀工艺腔室内表面防蚀处理，具体涉及。所述方法，包括如下步骤步骤（1），选择碳化硼粉末，并将碳化硼粉末送入真空等离子喷涂设备；步骤（2），对待喷涂的铝基材的刻蚀工艺腔室内壁进行预处理；步骤（3），在真空等离子喷涂设备对刻蚀工艺腔室内壁进行等离子喷涂前，先将真空等离子喷涂设备的真空喷涂室抽真空至1-10Pa，然后再进行等离子喷涂作业，在刻蚀工艺腔室内壁制备出碳化硼涂层。本发明是在低压条件下制备碳化硼涂层，使用本发明制备的碳化硼涂层十分致...
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