技术编号：3285264
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，其由铜靶和钨靶利用双离子束溅射轰击沉积在基片上形成，所用双离子束溅射铜靶的铜含量大于99.9％和钨靶的钨含量大于99.9％；利用双离子束溅射高导热低膨胀铜钨复合薄膜里的铜和钨的含量由溅射离子的能量和束流控制；在溅射沉积前需要利用低能离子束清洗基片，溅射出的高导热低膨胀铜钨复合膜的结构程非晶态即假合金，主要用于热沉材料。专利说明[0001]本发明涉及一种热沉材料，具体地说，涉及一种高导热低膨胀系数的电子散热封装复合材料。技术背景[0002]Cu-...
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