技术编号:3285888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种在ITO表面化学镀镍镀金前表面清洁的方法,其特征是将氟化铵、氟化氢铵及缓冲剂按一定比例混溶于去离子水中配成清洁溶液,基片用夹具装夹后浸没于清洁溶液中,根据基片表面污染程度选择合适的浸没时间,彻底去除ITO表面引线间玻璃上的污染物并使ITO刚刚露出新鲜的表面。这样清洁处理后再在ITO表面进行镍层和金层沉积时,镍层和金层只沉积于ITO表面,而在其它地方无法沉积,这就消除了因基片表面污染而造成的产品缺陷问题,大大提高了采用化学镀镍镀金方法制造Sensor产品...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。