技术编号:3286346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了用于TSV硅通孔化学机械抛光的工艺方法,包括以下步骤第一步,用铜抛光液去除铜覆盖层并对表面进行平坦化;第二步,用抛光液去除钽阻挡层和TSV隔离层SiO2,并对表面进行平坦化。采用优化工艺进行抛光后的效果图,抛光的目的在于除去铜覆盖层、钽阻挡层和TSV隔离层SiO2,并且使抛光停留在停留层Si3N4上,从而保证对器件绝缘层SiO2不造成损伤。专利说明一种化学机械抛光工艺[0001]本发明涉及一种化学机械抛光工艺,更具体地说,涉及一种用于硅通孔的化...
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