技术编号:3286682
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体基片反应室内部的部件及其制造方法,在铝或铝合金部件主体表面进行微弧氧化技术替代传统的阳极氧化技术,形成的微弧氧化涂层既可以直接作为铝或铝合金部件主体表面的防护层,与等离子体接触;也可以作为夹层,在其外表面再涂覆氧化钇涂层。所述微弧氧化涂层为刚玉结构,涂层致密度为98%,厚度在50um到300um之间连续可控,粗糙度Ra最小可达0.4um。良好的结构和组织稳定性,使得微弧氧化涂层成为替代阳极氧化层的理想方案。专利说明[0001]本发明涉...
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