技术编号:3287165
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及多频中空阴极以及安装该多频中空阴极的系统,具体提供了一种在衬底的等离子体处理中用于等离子体的产生的中空阴极系统。该系统包括成型为包围内腔的导电构件,所述导电构件被形成为具有与所述内腔流体连通的工艺气体入口,且被形成为具有使所述内腔暴露于衬底处理区域的开口。该系统还包括与所述导电构件电气连通以便实现第一RF功率至所述导电构件的传送的第一射频(RF)功率源。该系统进一步包括与所述导电构件电气连通以便实现第二RF功率至所述导电构件的传送的第二RF功...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。