技术编号:3287263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种薄膜晶体管,其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层,并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域10.58≤In/(In+Ga+Zn)≤0.68、0.15<Ga/(In+Ga+Zn)≤0.29;区域20.45≤In/(In+Ga+Zn)<0.58、0.09≤Ga/(In+Ga+Zn)<0.20;区域30.45≤In/(In+Ga+Zn)<0.58、0.20≤Ga/(In+Ga+Zn)≤0.27。专利说明薄膜晶体...
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