半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法技术资料下载

技术编号:3287619

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本发明包括下述工序分别准备半导体元件(1)、至少表面的主要元素为Cu的基板(2)、形状比所述半导体元件小的ZnAl共晶焊料片(3’);以各自的接合面彼此相对的方式配置所述半导体元件和所述基板,在该基板和半导体元件之间夹设所述ZnAl共晶焊料片;一边对夹设在所述基板和所述半导体元件之间的所述ZnAl共晶焊料片施加载荷(31),一边进行升温,使所述ZnAl共晶焊料片融解而形成ZnAl焊料层;以及一边对所述ZnAl焊料层施加载荷一边进行降温。专利说明半导体装置的...
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