技术编号：3287639

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一种制造半导体装置的方法，其包括在具有在3.0至5.5范围内的pH值的化学机械抛光(CMP)组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或具有0.1≤x<1的Si1-xGex材料，且所述CMP组合物包含(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)至少一种类型的氧化剂，及(C)含水介质。专利说明—种制造半导体装置的方法，其包括在具有3.0至5.5的 PH值的CMP组合物的存在下化学机械抛光元素锗及/或Si^xGexMW[0001]本发明本质上涉及一种化学...
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