技术编号:3287757
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了用于在双室结构的脉冲等离子体室中处理半导体衬底的系统、方法和计算机程序。晶片处理装置具有由板分隔的上室和下室,该板流体连接上室至下室,该晶片处理装置包括连续波(CW)控制器、脉冲控制器,以及系统控制器。CW控制器能操作以设置用于与所述上室中的上电极耦合的第一射频(RF)功率源的电压和频率。脉冲控制器能操作以设置用于由耦合到所述下室中的下电极的第二RF功率源产生的脉冲RF信号的电压、频率、接通期间的持续时间,以及断开期间的持续时间。专利说明双室结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。