技术编号:3289070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及所述反应腔室的处理方法包括对反应腔室进行预清洗;选用O2等离子体对所述反应腔室进行处理,以增加所述反应腔室顶部的面板与待沉积的材料之间的粘附力。所述改善半导体器件中掩埋颗粒缺陷的方法为在反应腔室处理完成之后在晶片上沉积低K介电材料。在本发明中在适应沉积处理之前选用O2等离子体对所述腔室进行处理,将所述反应腔室中面板上的铝氧化为氧化铝,形成凸起多孔的表面,增大了所述面板的摩擦力,增加了所述面板与待沉积的低K材料层之间的粘附力,避免了在薄膜沉积过程中...
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