技术编号：3289731
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的目的在于提供能够抑制对衬底周围的保护气的影响并且具有长使用寿命的衬底支持体以及半导体制造装置。本发明涉及的衬底支持体是利用化学气相生长法在衬底的表面成膜时支持衬底的衬底支持体，具备具有用于容纳衬底的凹部的石墨材料；该凹部中重叠以SiC形成的第1防脱气膜与以TaC或者HfC形成的第1防升华膜而形成的多层膜；以及该石墨材料的该凹部以外的部分中以SiC形成的第2防脱气膜。专利说明衬底支持体、半导体制造装置[0001]本发明涉及例如在使反应气体反应而在衬底...
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