技术编号：3291527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有HfO2薄膜材料的制备工艺采用掺杂或加温的方式制作，不能完全生成非晶薄膜的问题，提供了一种高K二氧化铪非晶薄膜的制备方法，其技术方案可概括为首先将表面清洁后且去除表面自然氧化层的硅基片放入真空室基底，然后将表面打磨清洁处理后的金属铪靶作为靶材放入真空室靶位，关闭靶材挡板，利用高真空多功能射频溅射镀膜设备，对真空室抽真空，对基片进行反溅清洁，反溅清洁后打开并调整射频电源及其功率，进行预溅射，最后调整氩气通量，通入氧气，打...
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