技术编号：3292118
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及，包括（1）对锆合金基体进行表面净化处理；（2）研磨聚碳硅烷成粉末；（3）配制聚碳硅烷的CCl4溶液；（4）在锆合金基体表面浸涂聚碳硅烷的CCl4溶液；（5）将浸涂后的锆合金基体放入真空炉使聚碳硅烷发生裂解反应，冷却；（6）取出冷却后的锆合金基体，重复步骤（4）、（5）多次；（7）将表面生成SiC涂层的锆合金基体预氧化。本发明将含PCS的溶液浸涂在锆合金基体表面，在≤1100℃条件下进行低温裂解反应，并通过多次浸涂、裂解，可制得与基体结合强度较高...
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