技术编号:3293611
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种,包括提供钼粉末和硅粉末,将所述钼粉末和所述硅粉末进行混合,形成钼硅混合粉末;采用热压工艺将所述钼硅混合粉末烧结成型,形成钼硅靶材。采用本发明的方法形成的钼硅靶材的致密度很高、内部组织结构和内部晶粒尺寸均匀,纯度也较高,满足高端电子行业对钼硅靶材质量的要求。专利说明 [0001]本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种钥硅靶材的制作方法。 背景技术 [0002]钥硅材料是一种在高温下抗氧化性、抗腐蚀性极好的材料,在高温下也不会分解,钥硅材料与多...
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