技术编号:3293745
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶铜,具体而言为涉及一种利用晶体的合并生长制备单晶铜带的方法。本发明利用多晶铜带在足够高的温度下能够逐渐合并长大,由于这种合并长大过程会将晶界区域逐渐集中到一起,而当晶界区域足够大或者两个足够大的晶体相遇时就会形成无法转变成单晶的区域,本发明中将通过逐步连续加热的方法,让未转变成单晶的区域总能保持相对较小的尺寸,同时通过超声振动作用使未转变成单晶的部分避免出现各向异性,经过足够时间的加热长大最终获得连续单晶条带。专利说明[0001]本发明涉及单...
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