技术编号:3294206
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁控滅射制备氧化钒薄膜的方法,属于薄膜制备技术。1、硅基片表面清洗。2、先在桂片表面沉积一层氧化桂薄膜。3、米用了具有利用率高、滅射薄膜均匀的靶材进行磁控滅射沉积氧化钒薄膜,工艺条件为底部真空3Xl(T4Pa,氩氧比例1001?1401,滅射功率150W?240W,衬底温度为25?200°C。本发明方法的优点在于不需要进行高温热处理,只需改变滅射工艺条件就可以制备出具有高电阻温度系数和低室温电阻的氧化钒薄膜,简化了镀膜工艺。专利说明一种磁控溅...
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