技术编号:3295350
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了。本发明的自支撑类金刚石纳米薄膜制备装置包括电极系统、偏滤弯管和沉积腔室;偏滤弯管的入口连接电极系统,偏滤弯管的出口连接沉积腔室,三者构成真空腔室;偏滤弯管包括弯管和绕在弯管外部的偏滤线圈;沉积腔室内设置有基片台,沉积腔室的腔体与基片台之间施加有直流偏压;偏滤弯管的弯曲角度为90度。本发明进入沉积腔室的液体具有更高的电离率、较少的大颗粒;可以通过调节沉积腔体和基片台之间的直流偏压,调节沉积到基片上的离子的能量,薄膜的性能控制比较便捷;通过对电弧...
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