技术编号：3295543
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了。具体步骤（1）硅纳米阵列制备工艺利用匀胶机在硅衬底上依次均匀涂覆聚甲基丙烯酸甲酯层和紫外纳米压印胶层；利用紫外纳米压印复合软模板进行压印得到压印胶纳米阵列结构；利用反应离子刻蚀，暴露出硅衬底；在刻蚀后的样品表面镀一层铬，并用举离工艺得到铬纳米阵列结构；以铬纳米阵列结构为掩膜，利用反应离子刻蚀得到尖劈硅纳米结构即黑硅材料；（2）对刻蚀完成的黑硅材料进行氧气等离子的处理，并接着用氟硅烷试剂进行表面化学处理。本发明的制备方法能在硅衬底上得到具有自清...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。