技术编号：3297000
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，是利用磁控溅射设备直接连续溅射制备出掺杂铬的晶态钨薄膜，省略了后缀的退火处理。具体制备步骤为将钨靶材放置在磁控溅射设备真空室中的直流溅射台上，把铬靶材放置在钨靶的溅射区内，基片放置在样品台上；对真空室抽真空至背底真空，向真空室充入氩气，并调节氩气流量和溅射气压，调节溅射直流和空载比；沉积溅射前预溅射一段时间后，调节基片至溅射区域，在设置的溅射沉积时间里开始制备掺杂铬的晶态钨薄膜。该工艺操作简单，薄膜为晶态，不脱落。磁控溅射得到的掺杂铬的晶态钨...
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