技术编号：3297237
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及一种用于在等离子体沉积腔室中处理基板的装置。更具体地，本发明的实施例涉及用于高均匀性HJT形成的大尺寸腔室。在本发明的一个实施例中，双RF接地方案提供改进的RF返回路径，所述改进的RF返回路径引起等离子体沉积的增加的均匀性。在本发明的另一实施例中，波导通过减少RF扼流器对RF电流的影响来用于改进等离子体沉积的均匀性。专利说明用于高均匀性HJT形成的大尺寸腔室[0001]本发明的实施例通常涉及一种用于在等离子沉积腔室中处理诸如太阳能电池板基板或...
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