技术编号:3302893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池领域,具体说是一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能缓冲层的沉积方法。背景技术铜铟镓硒(CIGQ薄膜太阳能电池在普通钠钙玻璃或聚酰亚胺薄膜等衬底上沉积多层薄膜而构成的光伏器件,其单体电池结构一般为玻璃衬底/金属钼背电极/CIGS光吸收层/缓冲层/高阻本征i一SiO/导电窗口层。最初人们发现CISG电池的PN结由CIGS/ CdS构成较好,CdS既是η型半导体又是CIGS电池的窗口材料,后来的研究表明CdS薄膜材料的禁带宽度较窄,同时,重金属Cd对...
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