技术编号：33047743
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种mems芯片用cvd密封多层真空腔结构技术领域.本实用新型涉及传感器等领域，特别涉及一种mems芯片用cvd密封多层真空腔结构。背景技术.目前，多腔室的mems器件所用技术为通过在盖板晶圆上刻蚀出多个腔室，再利用晶圆键合工艺将盖板晶圆和器件晶圆键合在一起，形成多个不同真空度的腔室。使用晶圆键合工艺的芯片面积会增大，不利于低成本生产。实用新型内容.本实用新型的目的是为了克服上述问题，特提供了一种mems芯片用cvd密封多层真空腔结构。.本实用新型提供了一种mems芯片用cvd密封多层真...
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