技术编号:3308633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种图案形成方法,包括利用由包含氟化碳(CF)类气体的蚀刻气体生成的等离子体,隔着掩模对基板上的含硅膜进行蚀刻,在该含硅膜上形成规定图案的蚀刻步骤;使用硅化合物气体,利用从氧化性气体或者氮化性气体生成的等离子体,使吸附在所述规定图案的表面的层氧化或者氮化,在上述规定图案的表面形成氧化硅膜或者氮化硅膜的成膜步骤。专利说明图案形成方法和基板处理系统 [0001]本发明涉及图案形成方法和基板处理系统。 背景技术 [0002]通过等离子体蚀刻形...
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