技术编号:3308711
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文所述的本发明的实施方式一般涉及用于形成高品质缓冲层和III-V族层的设备和方法,所述缓冲层和III-V族层用来形成有用的半导体装置,如电源装置、发光二极管(light emitting diode;LED)、激光二极管(laser diode;LD)或其它有用装置。本发明的实施方式还可包括用于形成高品质缓冲层、III-V族层和电极层的设备和方法,所述缓冲层、III-V族层和电极层用来形成有用的半导体装置。在一些实施方式中,设备和方法包括使用一或多个群集...
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