技术编号:3311718
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,采用60MHz甚高频磁控溅射装置、通过13.56MHz射频线圈电感耦合放电和27.12MHz射频基片台放电增强的高密度等离子体制备薄膜。本发明公开的新的三频高密度等离子体磁控溅射薄膜制备方法,在溅射过程中利用三频放电获得高等离子体密度、高离子通量、宽离子能量,解决了现有技术中反应溅射时等离子体密度低、活性低的缺点,所得产物薄膜的成分与理论接近,性能符合实际要求,有利于先进薄膜工业化生产与应用。专利说明[0001]本发明涉及一种薄膜的制备方法,...
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