技术编号:3313058
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及PECVD镀膜,特别是一种大面积薄膜沉积PECVD电极结构;包括阳极和阴极,其特征在于所述阳极和所述阴极平行相对设置,所述阳极和所述阴极竖直设置在设备的真空腔体内,所述阴极上设置有复数个供气孔和2个以上的排气孔,基板放置在所述阳极的正反两面附近;本发明同时还提供了一种大面积薄膜沉积PECVD设备;通过采用本发明的技术方案能够防止高阶硅烷的生成,并提高薄膜的沉积速度、提高薄膜的质量、提高生产效率、降低生产成本。专利说明大面积薄膜沉积PECVD电极结...
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