技术编号:33130875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种刻蚀机台的晶圆刻蚀方法。背景技术.mtbc(meantime between clean,上一次湿法清洗到这次湿法清洗所经过的时间)是机台阶段性维护的重要指标,它表示机台两次pm(period maintain,维护保养)之间的时间间隔。在半导体刻蚀机台对晶圆进行干法刻蚀的过程中,由于晶圆边缘的er(etch rate,刻蚀速率)比中心处的er快,为了提高晶圆刻蚀的均匀性,会在机台的内部设置聚焦环(focus ring),聚焦环被安装在反应离子蚀刻室中...
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