技术编号:3314459
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种制备FTO透明导电薄膜的制备方法,采用等静压固相反应合成工艺制备FTO即SnO2-0.5xFx(0.04≤x≤0.3)靶材,利用磁控溅射沉积技术,使用Ar和O2作为溅射气体,沉积得到厚度为200~700nm的FTO透明导电薄膜。本发明显著降低了薄膜的电阻率,提高了薄膜中的载流子浓度,可大面积规模化生产,工艺简单,成本低,所制薄膜表面平整,结晶致密,颗粒大小均匀,具有低电阻率、高透明性、重复性和稳定性;薄膜的透过率≥80%,电阻率<5....
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