技术编号:3314460
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,在玻璃衬底(1)上依次设置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO电极(4);所述ITO薄膜(2)的化学式为SnxIn1-xO,其中0.02<x<0.04;所述BST薄膜(3)的化学式为BaxSr1-xTiO3,其中x=0.3~0.7。采用磁控溅射沉积法,在玻璃衬底上沉积底电极ITO薄膜层、中间BaxSr1-xTiO3可调介质层(BST薄膜)和顶电极ITO层。本发明压控变容管的透过率≥70%;调谐率≥40%(100KHz),且...
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