技术编号:3314461
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,由下层的Cu层和顶层的SnO2层构成,为SnO2/Cu透明导电薄膜;先将SnO2靶材和Cu靶材装入磁控溅射腔体内,真空度抽至1.0×10-5Torr以下,使用Ar和O2作为溅射气体溅射SnO2层,SnO2层厚度为10~120nm;再将真空度抽至5.0×10-5Torr以下,使用Ar作为溅射气体溅射Cu层,Cu层厚度为3~20nm,制得SnO2/Cu双层透明导电薄膜。本发明具有极高的电导率和好的光学透过率,制备工艺简单、材料无毒、成本低,与其他...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。