技术编号：3315264
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种金属离子源和真空镀膜系统。本申请的金属离子源，将其磁控靶设计成圆筒状，即安装在圆柱筒的外壳内，相应的在外壳内设置磁性元件和冷却系统，并采用引出栅引出离子束流。本申请的金属离子源，将磁控放电相对封闭在圆柱筒内，工作时，利用引出栅将离子束流引出，可以引出100％的离子束流，且束流中不含“金属液滴”；同时，本申请的靶面面积远远大于引出束流面积，引出束流密度大大提高，因此具有不需要过滤装置、快速沉积或大剂量注入的优势，可用于快速常规“束线性”薄膜沉...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。