技术编号:3315401
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种半导体材料SiC薄膜的制备工艺,它包括下述步骤步骤1、选取石墨片为衬底材料,并将石墨片打磨清洗干燥;步骤2、将石墨片固定在蒸镀室上方的样品架上,Si颗粒放置在蒸发坩埚内;步骤3、蒸镀;步骤4、蒸镀后冷却;步骤5、将蒸镀冷却后的石墨片固定在磁控溅射溅射室的转盘上,C靶材放置在射频靶上,溅射气体为Ar气;步骤6、溅射;步骤7、溅射后冷却,再取出置于高真空退火炉中退火,形成半导体SiC多晶薄膜;解决了传统采用单晶硅衬底作为基片制备碳化硅薄膜存在的...
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