技术编号:3315572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提供了一种在如图2D所示的单晶片清洗系统(100-2)中去除后处理残余物的方法。所述方法开始于向设置于衬底(108)之上的近程头(106a-3,106b-3)提供第一被加热流体。之后,在所述衬底的表面和所述近程头的相对表面之间形成所述第一流体的弯月面。使所述衬底在所述近程头下面线性移动。专利说明[0001] 本申请是申请号为200680005277. 7,申请日为2006年2月8日, 申请人为兰姆研 究有限公司,发明创造名称为""的发明专利申请的分案申请...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。