技术编号:3317301
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅双面抛光片的有蜡贴片工艺,特别涉及一种IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺,主要应用于功率器件和集成电路、特别是IGBT器件所用硅双面抛光片的加工过程。背景技术随着集成电路工艺技术的高速发展,各种新型器件和集成电路不断涌现,如MEMS、 空间太阳电池、特殊保护电路等。这些器件、电路在制作时需要进行双面光刻,传统的单面硅抛光片已经不能满足这一要求,普遍采用的是双面硅抛光片,并且对双面抛光硅片表面质量要求越来越高。常见双面抛光工艺有两种,一...
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