技术编号:3317403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种硅氮化合物膜材料及其制备方法将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中,通入NH3气体和SiH4气体作为反应气体,通入氩气作为载体和保护气体,进行气相沉积,获得氮化硅膜材料;其中,控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为50~80℃,工作压力为3~5Pa,功率为390~460W;其中,所述气相沉积的时间为5~7min;所述SiH4气体与NH3气体的体积比为14~18,SiH4气体与氩气的体积比为0.5~5。本发明在四英...
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