技术编号:33175756
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及太阳电池制造领域,具体而言,涉及一种喷头、水膜喷淋组件及刻蚀系统。背景技术.在太阳电池的生产过程中,刻蚀工序在将硅片背表面和周边的pn结去掉的同时需要保证电池片正面的pn结不被破坏。其中的一种办法就是在硅片上表面喷淋一层水膜,隔绝刻蚀工艺过程对硅片正面pn结的破坏,但水膜在喷淋到硅片正面时,若水膜覆盖不全会引起未被覆盖地方的pn结被破坏,从而导致电池片外观问题和电性能不合格问题。而水膜过多过厚又会导致多余的水进入工艺槽引起工艺不合格,从而引起刻蚀效果不好,电池片漏电大,电池转换效...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。