技术编号：3318811
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，通过改变硅片承载件的延伸方向，使其承载的硅片与相邻上方硅片或硅片承载件的距离，调整为中间位置距离大而边缘位置距离小，从而使特气，尤其是流动性差的特气，在炉管内流动的时候，能够更容易地到达空间更大的硅片中间位置，而对边缘位置的特气量进行控制，对硅片表面进行均匀氧化，使得生成的氧化薄膜边缘与中心厚度均匀，提高整片硅片的厚度均匀性。专利说明 [0001] 本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种新的晶舟及利用该晶舟生长氧化 层的方法。 背景技...
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