技术编号:3318938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,使用中压等离子体设备制备硅薄膜,包括以下步骤将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上;将所述沉积腔室抽真空;在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体,所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体;在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体,所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子;所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室,并沉积在所述衬底上形成硅薄膜;在所述硅薄膜的沉积过程中,所述沉积腔室中的压力为0.1kPa~10kP...
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