技术编号:3319604
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种提高ITO薄膜性能的磁控溅射工艺,步骤如下选取高透玻璃衬底,将其放入磁控溅射设备中;将磁控溅射设备的温底调至300℃,抽真空度至10^(-4)Pa;在磁控溅射设备中通入氩气与氧气的混合气体;开启磁控溅射设备电源,进行ITO薄膜沉积;ITO薄膜沉积后,关闭磁控溅射设备电源;在磁控溅射设备中继续抽真空,保持温度300℃、真空度为10^(-4)Pa,时间为30min;在磁控溅射设备中充气至大气压,温度降低至室温,最后取出高透玻璃衬底。本发明增加原...
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