技术编号:33197686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化物半导体紫外线发光元件.技术区域.本发明涉及构成为具备将包含纤锌矿(wurtzite)构造的algan系半导体的n型层、活性层及p型层层叠于上下方向的发光元件构造部的峰值发光波长在nm~nm的范围内的氮化物半导体紫外线发光元件。背景技术.一般而言,氮化物半导体发光元件大多在蓝宝石等基板上通过外延生长而形成了包含多个氮化物半导体层的发光元件构造。氮化物半导体层以通式al-x-ygaxinyn(≤x≤,≤y≤,≤xy≤)来表示。.发光二极管的发光元件构造在n型...
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