技术编号:3320203
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括如下工序对基底进行加热,使氨基硅烷系气体流经加热后的基底,在基底的表面形成晶种层;对基底进行加热,向加热后的基底的表面的晶种层供给不含氨基的硅烷系气体,使不含氨基的硅烷系气体热分解,从而在晶种层上形成非晶体硅膜。专利说明成膜装置[0001](本申请是申请号为201110107275.1,申请日为2011-04-27,发明创造名称为非晶体硅膜的成膜方法和成膜装置的申请的分案申请) [0002]...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。