技术编号：3323662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及真空蒸发镀膜设备领域，具体涉及。包括对装有基板的真空腔体抽真空至4.5X10-3Pa至5.5X10-3Pa；对基板表面进行离子清洗；将真空腔体内压强调整至4.5X10-1Pa至5.5X10-1Pa，并对清洗后的基板表面通过中频Si靶生生成一层厚度为8nm至12nm的SiO2缓冲层；在真空度为7X10-1Pa至9X10-1Pa下在具有SiO2缓冲层的基板表面通过蒸发镀膜镀上一层厚度为15nm至25nm的防污层。本发明通过在设置离子发生机构对基板首先...
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