技术编号：3323800
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法，依次在CaAs衬底的任意一面上设置N-GaP-Si层、发光层、P-GaP-Mg层、第一Au层、AuBe层、第二Au层；其中，AuBe层的蒸镀温度为540℃～560℃，经过该温度所做的热处理，使得处理后的表面均匀、平整，其伏-安特性斜率大，接触电阻小。专利说明—种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法 [0001]本发明属于LED芯片生产领域，具体涉及一种红色LED芯片制程工艺中的P面蒸镀方法。 ...
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